文献

J-GLOBAL ID：201202281318968671   整理番号：12A1406597

多結晶シリコン太陽電池欠陥の温度依存フォトルミネッセンス撮像および特性評価

TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE IMAGING AND CHARACTERIZATION OF A MULTI-CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL DEFECT AREA

著者 (9件)： JOHNSTON Steve (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  YAN Fei (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  LI Jian (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  ZAUNBRECHER Katherine (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  ZAUNBRECHER Katherine (Colorado State Univ., CO, USA) ,  ROMERO Manuel J. (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  AL-JASSIM Mowafak (National Renewable Energy Lab., CO, USA) ,  SIDELKHEIR Omar (Calisolar, CA, USA) ,  BLOSSE Alain (Calisolar, CA, USA)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 37th Vol.1  ページ： 69-74  発行年： 2011年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトルミネッセンス(PL)撮像は,多結晶シリコンウエハおよび太陽電池の欠陥含有領域を高速で特定することができる。810-nmのレーザ光源で試料を照射して,波長0.9から1.7μmの光子を検出するInGaAsカメラで撮像した。欠陥バンド放射を検出するため1350nmのローパスフィルタを用い,光源を7Hzで変調した。電流電圧特性を欠陥領域と無欠陥領域で比較した。低温から室温の範囲で,バンド間放射および欠陥バンド放射の像とその強度の温度変化を観察した。強度変化をシリコンの放射再結合に対するB係数で規格化して得たグラフは,バンド間放射が温度にほぼ線形に依存して増加することを示した。これは小数キャリヤ寿命の温度依存性による。欠陥バンド放射は210Kまで線形に増加し,それ以上の温度では線形に減少した。減少の傾きはバンド間放射の傾きと同じであった。カソードルミネッセンスでは欠陥レベルが1300-1600nmにあった。さらに1mmx2mmの切片を欠陥領域近傍から剥がして,深準位過渡分光にかけた。小数キャリヤ電子トラップに対応するピーク強度のArrheniusプロットから活性化エネルギー0.45eVを得た。

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  太陽電池 ,  故障検出 ,  解析 ,  *欠陥準位 ,  *光ルミネセンス ,  再結合 ,  電子遷移 ,  *深準位過渡分光法 ,  *活性化エネルギー ,  バンド間遷移 ,  放射再結合 ,  *薄膜太陽電池
準シソーラス用語： *フィルム太陽電池 ,  フォトルミネセンス ,  欠陥解析 ,  欠陥検知 ,  深準位過渡分光 ,  多結晶シリコン

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶シリコン太陽電池 ,  欠陥 ,  温度依存 ,  フォトルミネッセンス ,  撮像 ,  特性評価