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J-GLOBAL ID：201202281342534445   整理番号：12A0274179

パルスNd:YAGレーザ蒸着により成長させたSnO₂薄膜

SnO₂ thin films grown by pulsed Nd:YAG laser deposition

著者 (4件)： CHAN Y DIAZ E. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C., Departamento de Materiales Nanoestructurados, Miguel de ...) ,  DUARTE-MOLLER A. (Centro de Investigacion en Materiales Avanzados, S. C., Departamento de Materiales Nanoestructurados, Miguel de ...) ,  CAMACHO Juan M. (CINVESTAV-IPN Merida, Applied Physics Dep., Carretera antigua a progreso km. 6, 97310, Merida, Yucatan, MEX) ,  CASTRO-RODRIGUEZ R. (CINVESTAV-IPN Merida, Applied Physics Dep., Carretera antigua a progreso km. 6, 97310, Merida, Yucatan, MEX)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 106  号： 3  ページ： 619-624  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度500°C,異なる酸素圧力(5.0~125mTorr)でSnO₂薄膜を蒸着し,圧力が膜の物理的性質に及ぼす影響を調べた。5.0~50mTorrで蒸着した膜は回折ピークの証拠を示したが,100mTorrSnO₂正方晶系構造を含む三本のピーク(110),(101),(211)を観測した。電気抵抗率は酸素圧力に非常に敏感であった。100mTorrの膜の電気抵抗率は4×10^-2Ωcm,自由キャリア密度は1.03×10¹⁹cm^-3,移動度は10.26cm²V^-1s^-1,平均可視透過率≒87%,光学バンドギャップは3.6eVであった。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： Nd-YAGレーザ ,  *レーザ蒸着 ,  *酸化スズ ,  *薄膜成長 ,  正方晶系 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  光学ギャップ ,  圧力効果 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  自由キャリア密度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス ,  Nd ,  YAGレーザ ,  蒸着 ,  成長 ,  薄膜