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J-GLOBAL ID：201202281426604414   整理番号：12A0899823

光電気化学適用のための電着ナノ構造WO₃薄膜

Electrodeposited nanostructured WO₃ thin films for photoelectrochemical applications

著者 (3件)： KWONG W.l. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of New South Wales, Sydney, NSW 2052, AUS) ,  SAVVIDES N. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of New South Wales, Sydney, NSW 2052, AUS) ,  SORRELL C.c. (School of Materials Sci. and Engineering, Univ. of New South Wales, Sydney, NSW 2052, AUS)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 75  ページ： 371-380  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WO₃薄膜を,ペルオキソタングステン酸水溶液を用いた電着によって,FTO被覆ガラス基板上に堆積した。鉱物学的,ミクロ組織的,形態的,光学的,及び光電気化学的特性に及ぼすペルオキソタングステン酸の濃度と堆積時間の変化の影響を,それぞれ,X線回折,走査電子顕微鏡,集束イオンビームミリング,紫外可視分光光度法及び線形動電位ボルタンメトリーを使用して測定した。膜は,77-122nmの粒径と258-1394nmの厚みの単斜晶WO₃からなり,真の細孔は,5%であった。これらのミクロ組織的,形態的パラメータは,主にタングステン濃度と堆積時間に依存した。いくつかの好ましい方位が観察され,これは結晶学的,ミクロ組織的要因に起因すると考えられた。光伝送データは,膜厚増加の関数として,3.05eVから2.60eVまで,光学的間接バンドギャップの大きな減少を示した。これは,圧縮応力と同様に,表面とバルクのバンドギャップ成分の差に起因すると考えられた。ボルタンメトリーデータと関連するButlerプロットは,Schottky欠乏層の確立とAg/AgClに対して+0.2Vと+0.3Vの平坦な電位を示した。計算された光転換効率は,キセノンよりむしろタングステンハロゲン光源の使用に見合った0.02-0.14%の範囲であったが,膜厚増加の関数として効率を向上させる傾向があった。これは,バンドギャップの減少と光吸収の増大に起因するものであった。前述データの曲線の形状は,表面とバルクバンドギャップ成分の差に起因するとの結論を支持する。最後に,外部印加電位の非存在下での光分解の証拠は,pHと平坦なバンド電位に及ぼす粒径の影響の重要性を示唆する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光電気化学 ,  *電着 ,  *ナノ構造 ,  *酸化タングステン ,  *薄膜 ,  タングステン酸 ,  ペルオキソ酸 ,  酸化スズ ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  技術 ,  製粉 ,  分光光度計 ,  ボルタンメトリー ,  単斜晶系 ,  バンドギャップ ,  銀 ,  塩化銀 ,  ハロゲン電球 ,  信号伝送 ,  圧縮応力
準シソーラス用語： FTO【酸化物】 ,  タングステンハロゲン電球 ,  ミリング ,  ペルオキソタングステン酸 ,  紫外可視分光光度計 ,  集束イオンビーム技術 ,  光伝送

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光電気化学 ,  電着 ,  ナノ構造 ,  薄膜