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J-GLOBAL ID：201202281469248514   整理番号：12A1030222

微小円蓋InGaNに基づく多重量子井戸太陽電池

Microdome InGaN-based multiple quantum well solar cells

著者 (6件)： HO Cheng-han (Inst. of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LAI Kun-yu (Dep. of Optics and Photonics, National Central Univ., Chung-Li 320, Taiwan) ,  LIN Chin-an (Inst. of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LIN Guan-jhong (Inst. of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  HSING Meng-kai (Ubilux Optoelectronics Corp., Tainan 74149, Taiwan) ,  HE Jr-hau (Inst. of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 2  ページ： 023902-023902-4  発行年： 2012年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaN微小円蓋を用いたInGaN系多重量子井戸太陽電池を実証し,変換効率を102%有意に高めた。p-GaN微小円蓋による短絡電流密度(0.43から0.54mA/cm²へ)と曲線因子(44%から72%へ)の向上は表面反射抑制による光吸収の増大に起因した。機械的頑健性とウエハ規模の均一性を維持しつつ,太陽電池エピタキシャル成長時に微小円蓋を直接成長させる概念は,付加的工程を全く用いずに太陽電池の光起電力性能を向上させる有望な方法を立証する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *多重量子井戸 ,  *太陽電池 ,  電流密度 ,  効率 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微小 ,  円蓋 ,  InGaN ,  多重 ,  量子井戸太陽電池