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J-GLOBAL ID：201202281470286560   整理番号：12A0386986

雲母基材により誘導されたグラフェンの水ゲートされた電荷ドーピング

Water-Gated Charge Doping of Graphene Induced by Mica Substrates

著者 (7件)： SHIM Jihye (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  LUI Chun Hung (Columbia Univ., New York, USA) ,  KO Taeg Yeoung (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  YU Young-Jun (Columbia Univ., New York, USA) ,  KIM Philip (Columbia Univ., New York, USA) ,  HEINZ Tony F. (Columbia Univ., New York, USA) ,  RYU Sunmin (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 648-654  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平らな雲母基材上に沈着されたグラフェンの水ゲートされた電荷ドーピングの存在を報告する。雲母基材は,グラフェン中に(9±2)×10¹²cm^-2の正孔密度を有する強くて堅牢なp型ドーピングを誘導する。この結論は,Ramanスペクトルと走査Kelvinプローブ顕微鏡による分析に基づく。極薄の界面水膜は,グラフェンと雲母の間の電荷輸送を大きく抑制する。グラフェンの雲母基材との電荷輸送相互作用は,将来のグラフェン応用における電荷キャリアの堅牢かつ持続的な操作のために活用される。この方法は,電気的ゲーティングを補足し,グラフェン中のキャリア密度の制御法としての通常の化学的ドーピングを提供する。

シソーラス用語： *雲母 ,  *単一層 ,  *電荷 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  Ramanスペクトル ,  力顕微鏡 ,  相互作用 ,  *水門 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  ゲーティング ,  マイカ ,  正孔密度 ,  電荷輸送

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 雲母 ,  誘導 ,  グラフェン ,  水 ,  ゲート ,  電荷 ,  ドーピング