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J-GLOBAL ID：201202281506910966   整理番号：12A0955603

相変化メモリにおける核形成及びスイッチングの場依存活性化エネルギー

Field-dependent activation energy of nucleation and switching in phase change memory

著者 (3件)： LI J. M. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  YANG H. X. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LIM K. G. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res., DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 263501-263501-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発熱抵抗測定は,Ge₂Sb₂Te₅相変化メモリ(PCM)の相転移が,従来の結晶化温度よりはるかに低い温度で起こり得ることを明らかにした。核形成の活性化エネルギーは,もはや定数ではなく,印加電場に強く依存した。場依存活性化エネルギーは,高い印加場で非常に低くなった。さらに,場依存活性化エネルギーを,印加場の指数関数により記述できた。これらの成果は,PCMの核形成スイッチング機構の分析に物理的な基礎を与えた。スイッチングモデルを開発した。シミュレートした電流-電圧曲線は,実験測定と良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  アンチモン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  *相転移 ,  核形成 ,  電気抵抗 ,  *スイッチング ,  活性化エネルギー ,  指数関数 ,  モデル ,  シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  *テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  *結晶化温度 ,  電場依存性

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  核形成 ,  スイッチング ,  場 ,  活性化エネルギー