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J-GLOBAL ID：201202281794914180   整理番号：12A0643337

配位平衡と反応空間の高度制御に基づく遷移金属錯体触媒の設計

著者 (1件)： 澤村正也 (北大 理)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 92nd  号： 4  ページ： 1430  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 遷移金属錯体触媒は,複雑な配位平衡の中で真の活性種となって機能を発揮する。従って高性能な触媒の設計には配位平衡を制御した上で,反応空間を高度に規定することが重要である。我々は「固体表面への活性中心の近接固定化」と「分子表面による反応場の空間規制」という2つの角度からこの課題に取り組み,特異な触媒反応場を持つ高機能の遷移金属錯体触媒を開発してきた。本講演では,このような取り組みとその成果を紹介するとともに,今後の展望について議論したい。(著者抄録)

シソーラス用語： *遷移金属錯体 ,  遷移金属触媒 ,  分子設計 ,  空洞 ,  *立体障害 ,  *触媒反応 ,  担持触媒 ,  配位子 ,  反応場 ,  分子表面 ,  *分子構造 ,  X線構造解析 ,  化学反応 ,  活性化 ,  触媒設計
準シソーラス用語： C-H活性化 ,  キャビティ ,  ホスフィン配位子

分類 (2件)： 配位化合物の結晶構造一般  (BK09001H) ,  反応に及ぼす構造の効果  (CF02110Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 平衡 ,  高度制御 ,  遷移金属 ,  錯体触媒 ,  設計