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J-GLOBAL ID：201202282058884769   整理番号：12A0430617

シリコンに化学的に貼り付けた単層,2層および多層カーボンナノチューブからの電界放出

Field emission from single-, double-, and multi-walled carbon nanotubes chemically attached to silicon

著者 (6件)： SHEARER Cameron J. (Centre for Nanoscale Sci. and Technol., School of Chemical and Physical Sciences, Flinders Centre for NanoScale Sci. ...) ,  FAHY Adam (Centre for Organic Electronics, School of Physics, Univ. of Newcastle, Callaghan, New South Wales 2308, AUS) ,  BARR Matthew G. (Centre for Organic Electronics, School of Physics, Univ. of Newcastle, Callaghan, New South Wales 2308, AUS) ,  MOORE Katherine E. (Centre for Nanoscale Sci. and Technol., School of Chemical and Physical Sciences, Flinders Centre for NanoScale Sci. ...) ,  DASTOOR Paul C. (Centre for Organic Electronics, School of Physics, Univ. of Newcastle, Callaghan, New South Wales 2308, AUS) ,  SHAPTER Joseph G. (Centre for Nanoscale Sci. and Technol., School of Chemical and Physical Sciences, Flinders Centre for NanoScale Sci. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 4  ページ： 044326  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板に化学的に貼り付けた単層カーボンナノチューブ(SWCNT),2層カーボンナノチューブ(DWCNT),および多層カーボンナノチューブ(MWCNT)の化学接着および電界放出(FE)特性を調べた。原子間力顕微鏡観察から,CNTは高密度に貼り付き,それらの配向はCNTのタイプにより異なることが分かった。Raman分光により基板面上のCNTのタイプと直径を確認した。CNT面の電界放出特性を調べ,電流-電圧曲線とFowler-Nordheimプロットを得た。SWCNTは優れたFE特性を示し,ターンオン電圧(E_to)は1.28Vμm^-,電界増強因子(β)は5587であった。DWCT面ではE_toは1.91Vμm^-,βは4748であり,MWCNT面ではE_toは2.79Vμm^-であり,βは3069であった。それぞれのタイプの放出安定性を調べたところ,SWCNTが最も安定な放出を示すことが分かった。このFE特性と安定性の差異は,CNTの直径,垂直配向性,結晶性により説明できる。これらの結果は,基板との接着強度とCNTの結晶性がFEの安定性に主要な役割を果たすことを示唆する。他のFE研究との比較を行い,デバイス応用の可能性を議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電界放出 ,  電界放出アレイ ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  ウエハ【IC】 ,  電流電圧特性 ,  安定性 ,  表面構造 ,  接着
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  化学的接着

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  化学 ,  貼り付 ,  けた ,  単層 ,  2層 ,  多層カーボンナノチューブ ,  電界放出