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J-GLOBAL ID：201202282080055075   整理番号：12A0539184

周波数範囲1~16GHzにおけるSiC薄膜の電磁エネルギー吸収ポテンシャル及びマイクロ波加熱能力

Electromagnetic energy absorption potential and microwave heating capacity of SiC thin films in the 1-16GHz frequency range

著者 (8件)： AIESSA B. (Dep. of Smart Materials and Sensors for Space Missions, MPB Technologies Inc., 151 Hymus Boulevard, Montreal, H9R ...) ,  AIESSA B. (Center for Applied Res. on Polymers (CREPEC), Mechanical Engineering Dep., Ecole Polytechnique de Montreal, PO Box ...) ,  TABET N. (Physics Dep., Center of Excellence in Nanotechnology (CENT), PO 477, KFUPM, Saudi Arabia) ,  NEDIL M. (Lab. de Rech. Telebec en Communications Souterraines, UQAT. 450, 3e Avenue, Val-d’Or J9P 1S2, CAN) ,  THERRIAULT D. (Center for Applied Res. on Polymers (CREPEC), Mechanical Engineering Dep., Ecole Polytechnique de Montreal, PO Box ...) ,  ROSEI F. (Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, INRS, 1650, Boulevard Lionel-Boulet, Varennes, Quebec J3X 1S2, CAN) ,  NECHACHE R. (Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, INRS, 1650, Boulevard Lionel-Boulet, Varennes, Quebec J3X 1S2, CAN) ,  NECHACHE R. (NAST Center and Dep. of Chemical Sci. and Technol., Univ. of Rome Tor Vergata, 00133 Rome, ITA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 14  ページ： 5482-5485  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1~16GHzの周波数域におけるアモルファス水素化シリコンカーバイド(a-SiC:H)の電磁(EM)吸収ポテンシャル及びマイクロ波加熱能力について報告した。典型的な厚さ1μmのa-SiC:H薄膜をプラズマ増強化学蒸着により[100]アンドープシリコン基板上に堆積した。それは深EM吸収(照射総EMエネルギーの96%まで)を示し,規則正しく熱に変換された。二波長パイロメータ試験は,マイクロ波への100秒以下の極めて短い時間の曝露で2000Kを超える温度に達することを示し,特別なマイクロ波加熱応用に対して有望であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  非晶質半導体 ,  化合物半導体 ,  水素化物 ,  *プラズマCVD ,  *マイクロ波加熱 ,  電磁波吸収 ,  *電磁遮蔽

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  薄膜 ,  電磁エネルギー ,  マイクロ波 ,  加熱能力