文献

J-GLOBAL ID：201202282246047955   整理番号：12A1212865

低温共蒸発によって調製したCu-In-Teベースの薄膜太陽電池の特性に対する銅対インジウム原子比の影響

Influence of copper to indium atomic ratio on the properties of Cu-In-Te based thin-film solar cells prepared by low-temperature co-evaporation

著者 (2件)： MISE Takahiro (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...) ,  NAKADA Tokio (Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin Univ., 5-10-1 Fuchinobe, Chuo-ku, Sagamihara, Kanagawa ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 5  ページ： 051202-051202-11  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu-In-Teベースの薄膜と太陽電池の特性に対する,銅対インジウム原子比(Cu/In)の影響を調べた。膜(Cu/In=0.38~1.17)を,裸とMo被覆の両方のソーダライムガラス基板の上に,250°Cにおいて,分子ビームエピタクシシステムを用いる一段共蒸発によって成長させた。高度に(112)配向したCuInTe₂膜を,0.84~0.99のCu/In比において得た。しかしながら化学量論的及びCuを多量に含む膜は,高い表面粗さを持つ貧弱な膜構造を示した。膜は多面体の形をした粒から成り,それはCu_2-xTe相の共存に関係し,化学量論的及びCuを多量に含む膜の中の,Cu_2-xTe相の共存の重要な証拠を述べる。KCN処理を膜について,Cu_2-xTe相を除去するために行った。化学量論的CuInTe₂薄膜は,KCN処理の後室温において,50cm²/Vsより大きい高い移動度を示した。厚さ1.4μmの,Cuの乏しいCuInTe₂薄膜(Cu/In=0.84,E_g=0.988eV)を用いて製作した予備的太陽電池は,2.10%の総面積効率を与えた。電池の光起電性能は,暗黒条件における長期間の環境エージングの後に改善した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  テルル化物 ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  銅 ,  インジウム ,  比率 ,  原子 ,  基板 ,  ガラス ,  温度 ,  蒸発 ,  膜構造 ,  移動度 ,  効率 ,  性能

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  蒸発 ,  調製 ,  Cu ,  Te ,  薄膜太陽電池 ,  銅 ,  インジウム ,  原子比