文献

J-GLOBAL ID：201202282247869436   整理番号：12A1485155

ニッケルの焼鈍によって作製したGaN Schottky障壁光検出器の低周波雑音特性

Low-Frequency Noise Characteristics of GaN Schottky Barrier Photodetectors Prepared With Nickel Annealing

著者 (8件)： CHEN Tse-Pu (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  YOUNG Sheng-Joue (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG Shoou-Jinn (National Formosa Univ., Yunlin, TWN) ,  HUANG Bohr-Ran (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  WANG Shih-Ming (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HSIAO Chih-Hung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU San-Lein (Cheng Shiu Univ., Kaohsiung, TWN) ,  YANG Chun-Bo (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 9-10  ページ： 2824-2829  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上にGaNをエピタクシー成長させ,その上に10nmのNi層を蒸着し,600°CのNi焼鈍有り無しの条件で作製したGaN Schottky障壁光検出器(PD)の低周波雑音特性をロックイン増幅器を用いて測定した。Ni焼鈍はGaN-PDの暗電流を低減し,紫外線-対-可視光比を改善した。Ni焼鈍ありPDの等価雑音電力は1.74×10^-11W,感度は9.07×10¹⁰cmHz^0.5/Wであった。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  ニッケル ,  薄膜成長 ,  焼なまし ,  *Schottky障壁 ,  *光検出器 ,  暗電流 ,  雑音特性 ,  感度 ,  紫外線 ,  可視光
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ニッケル ,  焼鈍 ,  作製 ,  GaN ,  Schottky障壁 ,  光検出器 ,  低周波 ,  雑音特性