文献

J-GLOBAL ID：201202282258587939   整理番号：12A0310593

ポリ(3-ヘキシルセレノフェン)太陽電池: 光電子デバイス性能と低エネルギー走査透過電子顕微鏡法により画像化したナノモルフォロジーとの相関

Poly(3-hexylselenophene) Solar Cells: Correlating the Optoelectronic Device Performance and Nanomorphology Imaged by Low-Energy Scanning Transmission Electron Microscopy

著者 (9件)： KLEIN Michael F. G. (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  PFAFF Marina (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  MUELLER Erich (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  CZOLK Jens (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  REINHARD Manuel (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  VALOUCH Sebastian (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  LEMMER Uli (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  COLSMANN Alexander (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU) ,  GERTHSEN Dagmar (Karlsruhe Inst. of Technol. (KIT), Karlsruhe, DEU)
資料名： Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics  (Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics)
巻： 50  号： 3  ページ： 198-206  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： C0346B  ISSN： 0887-6266  CODEN： JPLPAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高角環状暗視野検知器を備えた低keV走査透過電子顕微鏡を用いて,有機太陽電池のPCBMおよびポリ(3-ヘキシルセレノフェン)(P3HS)の分布を画像化した。空間構造およびナノ構造のドメインサイズを定量的に解析するため,空間Fourier変換を用いた。熱アニーリングでは,P3HSホイスカー形成を示した。電子顕微鏡観察の結果から,巨視的光電子デバイス特性が吸収スペクトルおよび時間依存デバイス光応答での衝撃と相関していることを示した。

シソーラス用語： *ポリヘテロアリーレン ,  セレン複素環化合物 ,  *太陽電池 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ヘテロ接合 ,  *表面性状 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  *固体素子 ,  オプトエレクトロニクス ,  ホイスカ ,  応答 ,  ナノ構造 ,  *モルフォロジー ,  *導電性高分子
準シソーラス用語： *ポリセレノフェン ,  画像化 ,  光応答 ,  光電子デバイス

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  光電子デバイス ,  低エネルギー ,  走査透過電子顕微鏡 ,  画像化 ,  相関