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J-GLOBAL ID：201202282277686280   整理番号：12A0214801

銅フタロシアニン(CuPc)中間層を使用して修飾したPt/n-Ge Schottky接触の電気特性

Electrical Properties of Pt/n-Ge Schottky Contact Modified Using Copper Phthalocyanine (CuPc) Interlayer

著者 (7件)： KUMAR A. Ashok (Yogivemana Univ., Proddatur, IND) ,  REDDY V. Rajagopal (Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND) ,  JANARDHANAM V. (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  SEO Min-Woo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  HONG Hyobong (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  SHIN Kyu-Sang (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  CHOI Chel-Jong (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 1  ページ： H33-H37  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着によりSbドープn型Ge(100)基板上に厚さ20nmの銅フタロシアニン(CuPc)を堆積した。シャドウ金属マスクを使用して厚さ30nmのPt膜をCuPc薄膜上にスパッタ堆積してSchottky接触(SC)電極を作製した。比較のためにCuPc中間層のないPtSCをn型Geウエハ上に作製した。Pt/CuPc/n-Ge及びPt/n-GeSCの電流電圧(I-V)及び容量電圧(C-V)特性を測定して電気特性を評価した。順方向バイアスのI-V特性から得た障壁高さ及び理想係数はPt/n-GeSCに対してはそれぞれ0.50eV及び1.06,Pt/CuPc/n-GeSCに対しては0.58eV及び1.31でり,Pt/CuPc/n-GeSCの障壁は通常のGeSCのそれよりもかなり高く,それは金属の仕事関数及び半導体の電子親和力のシフトを引き起こすCuPc中間層による実効障壁高さの修飾に帰せられる。Schottkyタイプの伝導メカニズムが逆電流を支配するが,Pt/CuPc/n-GeSCの場合には傾斜の異なる二つの直線部分が観測された。バイアスが小さいときはSchottky型のメカニズムが支配的であったが,バイアスが大きいときはPoole-Frenkel伝導が支配的であった。

シソーラス用語： *白金 ,  *ゲルマニウム ,  N型半導体 ,  *Schottky障壁 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  Poole-Frenkel効果 ,  半導体金属接合 ,  有機半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 中間層

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： 銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (8件)： 銅フタロシアニン ,  CuPc ,  中間層 ,  修飾 ,  Pt ,  Ge ,  Schottky接触 ,  電気特性