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J-GLOBAL ID：201202282705962335   整理番号：12A0589496

MOCVD選択成長による単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの形成とその光学特性~最大励起子分子束縛エネルギーの観測~

著者 (5件)： CHOI Kihyun (東大 生産技研) ,  有田宗貴 (東大 ナノ量子機構) ,  加古敏 (東大 ナノ量子機構) ,  荒川泰彦 (東大 生産技研) ,  荒川泰彦 (東大 ナノ量子機構)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-F12-16  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *量子ドット ,  *励起子分子 ,  *結合エネルギー ,  光学的性質 ,  *Coulomb相互作用 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： パワー依存性 ,  障壁層 ,  束縛エネルギー ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (3件)： 励起子  (BM02120E) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： MOCVD ,  選択成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  ナノワイヤ ,  量子ドット ,  光学特性 ,  励起子分子 ,  束縛エネルギー ,  観測