文献

J-GLOBAL ID：201202283080838572   整理番号：12A0745227

低温でのマイクロ波熱処理による強誘電性ジルコニウム酸チタン酸鉛薄膜の結晶化

Crystallization of Ferroelectric Lead Zirconate Titanate Thin Films by Microwave Annealing at Low Temperatures

著者 (6件)： WANG Zhanjie (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  CHEN Yanna (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  OTSUKA Yuka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ZHU Mingwei (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  CAO Ziping (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOKAWA Hiroyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 94  号： 2  ページ： 404-409  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた強誘電特性を示すジルコニウム酸チタン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜を不揮発性メモリとして利用する上で,成膜時に非晶質の薄膜を結晶化させる際,下地層との反応による劣化を防ぐために低温での処理が求められる。本研究においては,この課題に対して,ゾル-ゲル法による成膜とマイクロ波加熱の組合せを提案した。PZT前駆体溶液をスピンコーティングによってPt/Ti/SiO₂/Si基板に被覆し,120°C・2分の乾燥,400°C・5分の熱分解の後,2.45GHzのマイクロ波加熱を用い430,450,480および500°Cの温度で熱処理した。得た薄膜について,XRD,SEMおよびTEMを用いてキャラクタリゼーションを実施すると共に分極特性評価を実施した。この結果,マイクロ波加熱の温度に応じて膜の結晶化が進み,優れた強誘電性を発揮することを明らかにし,最低温度450°Cでペロブスカイト構造薄膜を得ることができることを示した。

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *セラミック膜 ,  強誘電性 ,  ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  熱処理 ,  マイクロ波加熱 ,  加熱温度 ,  *結晶化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  マイクロ波 ,  熱処理 ,  強誘電性 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜 ,  結晶化