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J-GLOBAL ID：201202283104929043   整理番号：12A0425874

溶媒として純粋なケイ素を使用した表面種結晶溶液成長の成長速度のモデル化

Modeling of the Growth Rate during Top Seeded Solution Growth of SiC Using Pure Silicon as a Solvent

著者 (4件)： LEFEBURE Julien (Minatec, Grenoble, FRA) ,  DEDULLE Jean-Marc (Minatec, Grenoble, FRA) ,  OUISSE Thierry (Minatec, Grenoble, FRA) ,  CHAUSSENDE Didier (Minatec, Grenoble, FRA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 2  ページ： 909-913  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質の単結晶SiCインゴットを成長させる標準的工業用PVT過程の代わりとして最初に溶液から析出する結晶の成長(TSSG)を研究した。まず非常に低い温度勾配(1°C/cm)の特別なるつぼを設計した。それから炭素濃度と過飽和分布を計算して溶解と成長範囲を求めた。その結果,濃度場と対流パターンの間に直接的相関関係のあることがわかった。これは溶解から結晶化領域への炭素の輸送における対流ループの初期の役割を重要視している。純粋なSi結晶の成長速度を3つの異なる温度範囲(1700,1800,および1900°C)で計算した。さらに,結晶半径による成長速度プロフィルも計算した。この計算結果と実験データはよく一致した。最後に,この結晶成長状態における限定パラメータは液体ケイ素中の炭素の溶解度であり,炭素の輸送ではないことを確証した。Ti-SiあるいはCr-Siのような結晶の大きな成長速度を得るためには炭素の溶解度を上げることのできる溶媒の使用が考えられる。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *種結晶 ,  *ケイ素 ,  液体 ,  気液界面 ,  *溶液成長 ,  成長速度 ,  モデリング ,  温度勾配 ,  炭素 ,  *濃度分布 ,  飽和度 ,  *対流
準シソーラス用語： 過飽和度

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶媒 ,  ケイ素 ,  種結晶 ,  溶液成長 ,  成長速度 ,  モデル化