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J-GLOBAL ID：201202283218881482   整理番号：12A0437209

各種バッファ層を付けたAl₂O₃(0001)基板上のGaドープZnO薄膜の低温エピタキシャル成長及び特性

Low temperature epitaxial growth and characterization of Ga-doped ZnO thin films on Al₂O₃ (0001) substrates prepared with different buffer layers

著者 (10件)： SHIN Seung Wook (Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, KOR) ,  AGAWANE G.l. (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  KIM In Young (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  KWON Ye Bin (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  JUNG In Ok (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  GANG Myeng Gil (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  MOHOLKAR A.v. (Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416-004, IND) ,  MOON Jong-ha (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  KIM Jin Hyeok (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  LEE Jeong Yong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, Daejeon 305-701, KOR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 12  ページ： 5073-5079  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファ層なし及びZnO,GaN及びMgOの三種類のバッファ層付Al₂O₃(0001)基板上に成長温度250°CでRFマグネトロンスパッタリングにより作製した1wt%GaドープZnO(GZO)薄膜のエピタキシャル成長及び特性を報告した。X線回折及び透過型電子顕微鏡研究の結果,GaN-及びZnOバッファ層付き基板上に堆積したGZO薄膜はエピタキシャル成長することが分かった。しかし,バッファ層なし及びMgOバッファ層を付けた基板上に堆積したGZO薄膜は面外にc-軸優先配向と面内方向にランダムにc-軸配向した多結晶六方晶ウルツ鉱型相を示した。バッファ層なしの基板上に堆積したGZO薄膜の電気抵抗率は三種類のバッファ層上に堆積したものと比較して最も低い6.8×10^-3Ωcmの抵抗率を示した。GZO薄膜の結晶性,微細構造,モルフォロジー,光学及び電気特性は調べた三種類のバッファ層の性質による影響を受けた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム ,  *ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *バッファ層 ,  アルミナ ,  基板 ,  優先配向 ,  X線回折 ,  六方晶系 ,  多結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  結晶成長 ,  *電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *光学定数 ,  透明導電膜
準シソーラス用語： 低温成長

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： バッファ層 ,  Al2O3 ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  低温 ,  エピタキシャル成長