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J-GLOBAL ID：201202283392643833   整理番号：12A1520827

GeSeナノベルトのコロイド合成と電気的性質

Colloidal Synthesis and Electrical Properties of GeSe Nanobelts

著者 (6件)： VAUGHN Dimitri D., II (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  SUN Du (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  LEVIN Scott M. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  BIACCHI Adam J. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  MAYER Theresa S. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  SCHAAK Raymond E. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 18  ページ： 3643-3649  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液中でのシードを使用しない成長方法によってGeSe単結晶ナノベルトを初めて合成した。GeI₄,Seのトリ-n-オクチルホスフィン溶液(TOP-Se),オレイルアミン,オレイン酸とヘキサメチルジシラザンからなる反応混合物の320°Cでの加熱を続けると,非晶質GeSex前駆体の生成とその溶解を経て,GeSeナノベルトの核生成が起こり,平均径77±18nm,長さ1~25μmの1Dナノベルトが得られた。生成したナノベルトの特性化をTEM,SEM,AFMと選択領域電子回折,X線回折などによって行い,ナノベルトが高結晶性で,[100]結晶軸に垂直に配向した大きな単結晶ドメインを有することを確認した。拡散反射測定によって,それらが1100nmの吸収端と1.1eV付近の間接的バンドギャップを有する近赤外吸収を示すことがわかった。電場によって支援された集積プロセスによって電極間にそれらを配列させて2-と4-端子電流-電圧測定を行い,360Ω-cm付近の比抵抗を有するオーミック応答を確認した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *ナノ構造 ,  *コロイド ,  *電気的性質 ,  単結晶 ,  拡散反射 ,  制限視野回折 ,  化合物半導体 ,  不飽和脂肪酸 ,  オレフィン化合物
準シソーラス用語： *セレン化ゲルマニウム ,  *ナノベルト ,  IV-VI半導体

分類 (3件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (4件)： オレイルアミン ,  オレイン酸 ,  トリオクチルホスフィン ,  ヘキサメチルジシラザン

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノベルト ,  コロイド ,  電気的性質