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J-GLOBAL ID：201202283411774081   整理番号：12A1316159

MBE成長GaAs上GaAsBiの温度およびポンプパワー依存光ルミネセンス特性化

Temperature and pump power dependent photoluminescence characterization of MBE grown GaAsBi on GaAs

著者 (14件)： RIORDAN Nathaniel A. (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  GOGINENI Chaturvedi (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  JOHNSON Shane R. (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  LU Xianfeng (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  LU Xianfeng (Univ. of British Columbia, Advanced Materials and Process Engineering Lab., Dep. of Physics and Astronomy, V6T 1Z4 ...) ,  TIEDJE Tom (Univ. of British Columbia, Advanced Materials and Process Engineering Lab., Dep. of Physics and Astronomy, V6T 1Z4 ...) ,  TIEDJE Tom (Univ. of Victoria, Dep. of Electrical and Computer Engineering, V8W 3P6, Victoria, BC, CAN) ,  DING Ding (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  ZHANG Yong-Hang (Arizona State Univ., Center for Photonics Innovation and School of Electrical, Computer, and Energy Engineering ...) ,  FRITZ Rafael (Philipps-Universitaet Marburg, Materials Sci. Center and Dep. of Physics, Renthof 5, 35032, Marburg, DEU) ,  KOLATA Kolja (Philipps-Universitaet Marburg, Materials Sci. Center and Dep. of Physics, Renthof 5, 35032, Marburg, DEU) ,  CHATTERJEE Sangam (Philipps-Universitaet Marburg, Materials Sci. Center and Dep. of Physics, Renthof 5, 35032, Marburg, DEU) ,  VOLZ Kerstin (Philipps-Universitaet Marburg, Materials Sci. Center and Dep. of Physics, Renthof 5, 35032, Marburg, DEU) ,  KOCH Stephan W. (Philipps-Universitaet Marburg, Materials Sci. Center and Dep. of Physics, Renthof 5, 35032, Marburg, DEU)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 23  号： 10  ページ： 1799-1804  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Biモル分率0.02から0.1までのバルクおよび量子井戸GaAs_1-xBi_x/GaAs層を,280から320°Cの範囲の温度で分子線エピタクシーにより成長した。その試料を,8~300Kおよび1~250mW(7~1800W/cm²)を,それぞれカバーする,温度およびポンプパワー依存光ルミネセンス測定を用いて特性評価した。その結果は,少量のBiの組み込みでバンドギャップエネルギーの強力な低減があり,GaAsBiはGaAsとともに弱いタイプ-Iバンドアラインメントを多分形成することを示した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化物 ,  ガリウム化合物 ,  ビスマス化合物 ,  *温度依存性 ,  *量子井戸 ,  モル分率 ,  ビスマス ,  *光ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  格子定数 ,  *ビスマス合金 ,  表面偏析 ,  半導体材料 ,  X線回折
準シソーラス用語： GaAsBi

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  パワー ,  光ルミネセンス ,  特性化