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J-GLOBAL ID:201202284071774266   整理番号:12A0747407

銀ナノ構造によるCdSe/ZnS単一ナノ結晶の増強された光ルミネッセンスにおける光アンチバンチング

Photon antibunching in enhanced photoluminescence of a single CdSe/ZnS nanocrystal by silver nanostructures
著者 (4件):
資料名:
巻: 237  ページ: 24-30  発行年: 2012年06月01日 
JST資料番号: D0721B  ISSN: 1010-6030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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銀ナノ構造の局在表面プラスモン共鳴(LSPR)と相互作用するCdSe/ZnS単一半導体ナノ結晶(NCs)により,フォトルミネッセンス(PL)光アンチバンチング挙動の二励起波長fs-パルスレーザー励起で調査した。PL強度の時間形跡,PL減衰曲線,及び粗いAg膜とカバースリップ上の単一NCsとの光相関を同時に測定し,PL寿命の短縮を伴うPL強度が増加するのをAgの粗膜上の単一NCsで観察した。PL強度の増進ファクターは励起波長に依存している。増大したPLの単一NCsの殆ど全ては増大ファクターとは不関係の光アンチバンチング挙動を示した。実験データから推定した増大した放射性及び非放射性減衰速度から,光アンチバンチング挙動の機構を次のように考察した。光アンチバンチング挙動を示すためには,単一NC中に生成したエキシトン間の非放射性オージェ再結合が重要である。LSPRにより増大した射性及び非放射性減衰速度がオージェ再結合速よりも速くなると,光アンチバンチングの確率が減少する。しかし,この様に速い放射性及び非放射性減衰速度は本研究の粗Ag膜のLSPRと相関する単一NCsでは観測されなかった。従って,単一NCからのPL強度は上昇しながら,光アンチバンチング挙動を保持していた。著者らの発見は効率的単一光源を作るのに役立ち,金属ナノ構造のプラズモンと合わさったNCの発光特性では重要な情報を生じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  固体プラズマ  ,  半導体のルミネセンス  ,  分子と光子の相互作用 

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