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J-GLOBAL ID：201202284130672502   整理番号：12A0807858

サブ閾値回路のための配線設計

Interconnect Design for Subthreshold Circuits

著者 (3件)： PABLE Sachin D. (Aligarh Muslim Univ., Aligarh, IND) ,  PABLE Sachin D. (Padmashri Dr. Vithalrao Vikhe Patil Coll. Engineering, Maharastra, IND) ,  HASAN Mohd. (Aligarh Muslim Univ., Aligarh, IND)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 11  号： 3  ページ： 633-639  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ閾値領域では駆動電流密度が低いためにエレクトロマイグレーションは問題にならず,従って配線のスケーリングは抵抗が若干上昇しても容量が減ることによって配線遅延を減らすサブ閾値条件で決められる。サブ閾値条件下で配線長とバイアスレベルを変えて単層マーボンナノチューブ(SWCNT),Cu,混合CNTバンドルの性能を比較調査した。配線の最適性能はサブ閾値電圧化の配線タイプと供給電圧の適切な選択で得られると結論できる。長配線でCu,SWCNT,混合CNTバンドルを比較すると,中庸のサブ閾値領域のグロ-バル配線ではアスペクト比を下げたCuが最も良く,サブ閾値領域が深いところでは全ての配線長でSWCNTの特性が最も良い。解析によってCu,SWCNT,混合CNTバンドルのバイアス点による利点欠点を明らかにした。

シソーラス用語： アスペクト比 ,  配線 ,  カーボンナノチューブ ,  閾値 ,  単層カーボンナノチューブ ,  多層カーボンナノチューブ ,  *超LSI ,  電気材料 ,  遅れ
準シソーラス用語： CNT【炭素】 ,  Cu配線 ,  MWCNT ,  SWCNT ,  VLSI ,  *サブ閾値 ,  *配線材料 ,  *配線遅延

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： サブ閾値 ,  配線設計