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J-GLOBAL ID：201202284319497450   整理番号：12A1578964

(La,Sr)CoO₃/(Pb,La)(Zr,Ti)O₃/SrTiO₃/LaVO₃エピタキシャルへテロ構造の容量-電圧特性に及ぼすSrTiO₃厚の効果

Effect of SrTiO₃ thickness on the capacitance-voltage characteristics of (La,Sr)CoO₃/(Pb,La)(Zr,Ti)O₃/SrTiO₃/LaVO₃ epitaxial heterostructures

著者 (4件)： CHOI Woong (Univ. of California, Dep. of Materials Sci. and Engineering, 94720, Berkeley, CA, USA) ,  CHOI Woong (Kookmin Univ., School of Advanced Materials Engineering, 136-702, Seoul, KOR) ,  SANDS Timothy D. (Univ. of California, Dep. of Materials Sci. and Engineering, 94720, Berkeley, CA, USA) ,  SANDS Timothy D. (Purdue Univ., School of Materials Engineering, School of Electrical and Computer Engineering, 47907, West Lafayette ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 109  号： 2  ページ： 285-289  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (La,Sr)CoO₃/(Pb,La)(Zr,Ti)O₃/SrTiO₃/LaVO₃金属-強誘電体-絶縁体-半導体(MFIS)エピタキシャルへテロ構造の容量-電圧(C-V)特性に及ぼすSrTiO₃厚の効果を報告した。ヘテロ構造のC-V測定はゲートバイアスに関して容量の非対称性を示した。所与の厚さ範囲(5-30nm)内では,正ゲートバイアスにおける容量低下の量と容量低下の速さはSrTiO₃厚の増加と共に減少した。このことは従来のシリコンベースMFISキャパシタのC-V特性と矛盾しない。これらの結果は,それらのデバイス応用に重要な意味を持つであろう,酸化物へテロ構造の電気的挙動の定量的理解がC-V解析によって可能なことを示唆している。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *コバルト酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *ランタン化合物 ,  *ジルコニウム酸チタン酸ランタン鉛 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *素子構造 ,  *強誘電体 ,  エピタクシー ,  容量電圧特性 ,  レーザ蒸着 ,  FeRAM ,  *残留分極 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *コバルト酸ランタンストロンチウム ,  バナジウム酸ランタン ,  *MFIS構造

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (10件)： La ,  Sr ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  エピタキシャル ,  テロ ,  電圧特性 ,  厚