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J-GLOBAL ID：201202284322910849   整理番号：12A0549634

水素化Nドープアモルファスカーボン膜の強磁性

Ferromagnetism in hydrogenated N-doped amorphous carbon films

著者 (6件)： LIU S. Y. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China) ,  ZHEN C. M. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China) ,  LI Y. Z. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China) ,  PAN C. F. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China) ,  ZHOU H. J. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China) ,  HOU D. L. (Hebei Advanced Thin Films Lab., Dep. of Physics, Hebei Normal Univ., Shijiazhuang 050024, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 053922-053922-5  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援CVDで作った水素化Nドープアモルファスカーボン(a-CN_x:H)膜で室温強磁性を観測した。膜の磁化は,堆積の間のメタンに対する窒素の流束比(R)に依存して変わり,焼なまし温度にも依存した。堆積したままの試料の最大の磁化はR=4で得た。この膜を300°Cで焼なますと,堆積したままの膜より磁化はかなり増えた。焼なまし温度が500°Cを超すと試料の磁気モーメントは減少した。強磁性不純物は検出されなかった。a-CN_x:H膜の強磁性の主な原因を表面のNアドアトムのp軌道のスピン分極または層間の不規則炭素に求めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  プラズマCVD ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *強磁性 ,  *磁化 ,  *焼なまし ,  不純物 ,  原子 ,  スピン分極 ,  水素化物 ,  吸着 ,  アルカン
準シソーラス用語： アドアトム ,  *アモルファスカーボン ,  *室温強磁性

分類 (1件)： ランダム系一般  (BM06081C)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化 ,  ドープ ,  アモルファス ,  カーボン膜 ,  強磁性