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J-GLOBAL ID：201202284336862618   整理番号：12A1005982

6×150mm温間遊星反応装置におけるSiCエピタキシャル層成長

SiC Epitaxial Layer Growth in a 6×150mm Warm-Wall Planetary Reactor

著者 (10件)： BURK A. A. (Cree, Inc., NC, USA) ,  TSVETKOV D. (Cree, Inc., NC, USA) ,  BARNHARDT D. (Cree, Inc., NC, USA) ,  O’LOUGHLIN M. J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  GARRETT L. (Cree, Inc., NC, USA) ,  TOWNER P. (Cree, Inc., NC, USA) ,  SEAMAN J. (Cree, Inc., NC, USA) ,  DEYNEKA E. (Cree, Inc., NC, USA) ,  KHLEBNIKOV Y. (Cree, Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J. (Cree, Inc., NC, USA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 75-80  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応装置 ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  成長