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J-GLOBAL ID：201202284549451522   整理番号：12A1485692

フィールドプレート・アシスト・RESURFデバイスにおける電界の抽出

Extraction of the Electric Field in Field Plate Assisted RESURF Devices

著者 (5件)： BOKSTEEN B. K. (Univ. Twente, Enschede, NLD) ,  DHAR S. (NXP Semiconductors, Eindhoven, NLD) ,  HERINGA A. (NXP Semiconductors, Leuven, BEL) ,  KOOPS G. E. J. (NXP Semiconductors, Leuven, BEL) ,  HUETING R. J. E. (Univ. Twente, Enschede, NLD)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 145-148  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いシリコン・オン・チップ高圧(700V)RESURFデバイスの横方向電界がI_D-V_D特性からサブスレッショルド手法を用いて求められることを,線形勾配ドレイン拡張形RESURF素子へ適用し,考察した。この手法の有効範囲(電圧)を,解析計算とTCAD素子モデルを組み合わせて求め,ドレイン-ソース間電圧の増分が既空乏化領域の横方向電界に影響を与えないことを示した。さらに,この条件が,線形勾配ドレイン拡張部のパラメータにより決められる特性長さより長い部分に当てはまることを検証した。現実的な素子定数の場合,本手法はドレイン-ソースブレークダウン電圧が約150V以上の場合に当てはまると述べた。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *表面電位 ,  電場 ,  パワーエレクトロニクス ,  分布 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： RESURF ,  電界分布

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： フィールドプレート ,  アシスト ,  RESURF ,  電界