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J-GLOBAL ID：201202284592380230   整理番号：12A0713742

カソードと光結合材料としてITOとInGaAsP/ITO/Siハイブリッドレーザのボンディング

Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser With ITO as Cathode and Light-Coupling Material

著者 (10件)： HONG Tao (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LI Yan-Ping (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN Wei-Xi (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  RAN Guang-Zhao (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIN Guo-Gang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHU Hong-Liang (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIANG Song (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Yang (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  PAN Jiao-Qin (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Wei (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 5-8  ページ： 712-714  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ITOを透明カソードとして使ったInGaAsP/ITO/Siハイブリッドレーザについて報告した。InGaAsP構造とITOカソードはパターン形成したSOIウエハ上にフリップチップボンディングした。InGaAsP多重量子井戸(MQWs)で発生した光はITOカソードを通してSi導波路と結合する。このハイブリッドレーザは,210Kで閾値電流密度20kA/cm²を示した。このハイブリッドレーザは,ポスト-ボンディングと製造プロセスが簡単なため,Si光源として期待される。

シソーラス用語： カソード ,  光結合器 ,  *酸化インジウムスズ ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *量子井戸レーザ ,  透明導電膜 ,  パターン形成 ,  フリップチップ法 ,  SOI構造 ,  ウエハ【IC】 ,  多重量子井戸 ,  電流密度 ,  光源
準シソーラス用語： InGaAsP ,  ITO

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： カソード ,  光結合 ,  ITO ,  InGaAsP ,  Si ,  レーザ ,  ボンディング