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J-GLOBAL ID：201202284740849161   整理番号：12A0549264

電解質誘起反転層カーボンナノチューブ-シリコンSchottky接合太陽電池のキャリア動力学及び設計最適化

Carrier dynamics and design optimization of electrolyte-induced inversion layer carbon nanotube-silicon Schottky junction solar cell

著者 (4件)： CHEN Wenchao (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  SEOL Gyungseon (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  RINZLER Andrew G. (Dep. of Physics, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  GUO Jing (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 10  ページ： 103503-103503-4  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電解質誘起反転層カーボンナノチューブ-シリコンSchottky接合太陽電池のキャリア動力学を,数値シミュレーションにより研究した。電解質誘起反転層の有無の場合の,太陽電池の動作機構を述べて比較し,誘起反転層をもつ太陽電池における電流の流れ機構を明確にした。重ドープ背面接触層は,正孔阻止層として振舞うことができた。接触抵抗及び表面再結合の低減に加えて,それは,電解質誘起反転層太陽電池あるいは金属-絶縁体-半導体格子太陽電池におけるキャリア分離を改善するのにとくに有用であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  半導体金属接合 ,  *カーボンナノチューブ ,  *ケイ素 ,  *反転層 ,  *電解質 ,  電流 ,  ドーピング ,  接触抵抗 ,  MIS構造
準シソーラス用語： *Schottky接合 ,  シリコン ,  *キャリア動力学 ,  数値シミュレーション ,  接触層 ,  重ドーピング ,  表面再結合

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電解質 ,  誘起 ,  反転層 ,  カーボンナノチューブ ,  シリコン ,  Schottky接合 ,  太陽電池 ,  キャリア動力学 ,  設計最適化