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J-GLOBAL ID：201202284825741173   整理番号：12A0215222

クロム添加酸化インジウムの結晶構造転移が電子バンド構造に与える影響

Effects of crystalline structural transition on electronic-band structure of chromium-doped indium oxide

著者 (1件)： HSU C.y.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 2311-2315  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Drude-Adachiモデル誘電関数をほぼ垂直な反射率スペクトルにフィットさせることにより,結晶構造転移を持つクロム添加酸化インジウム膜の電子バンド構造パラメータを決定した。求めた光学バンドギャップは中間状態で最大となり,理想的な結晶状態や非理想的な結晶状態でギャップは減少した。どちらも結晶構造転移によるものである固有バンドギャップ狭域化効果とBurstein-Mossシフトを組み合わせてこの現象を説明した。本研究は,理想的でない結晶構造を持つ物質の電子バンド構造に対する重要な洞察を与えた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電子構造 ,  *構造相転移 ,  *酸化インジウム ,  固体論 ,  誘電関数 ,  反射スペクトル ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： Drude理論 ,  反射率スペクトル ,  光学バンドギャップ

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： クロム ,  酸化インジウム ,  結晶構造 ,  電子バンド構造