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J-GLOBAL ID：201202285124272850   整理番号：12A1212742

混合相MgZnO/i-MgO/p-Si二重ヘテロ接合に基づく二色紫外検出器

Dual-color ultraviolet photodetector based on mixed-phase-MgZnO/i-MgO/p-Si double heterojunction

著者 (5件)： XIE X. H. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  ZHANG Z. Z. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  SHAN C. X. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  CHEN H. Y. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...) ,  SHEN D. Z. (State Key Lab. of Luminescence and Applications, Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 081104-081104-3  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合相MgZnO/i-MgO/p-Si二重ヘテロ接合に基づく二色紫外検出器を報告する。素子は異なる逆バイアス下でソーラーブラインド(250nm)と可視ブラインド(約330nm)紫外領域において明確な優勢応答を示す。構造のエネルギーバンド図を用いて,バイアス調整可能な二色検出が立方晶系MgZnO/MgOと六方晶系MgZnO/MgOの異なる価電子バンドオフセットに起因することが分かった。一方,Si/MgO界面における大きな伝導バンドオフセット故に,Si基板からの可視光応答は抑制される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *紫外検出器 ,  バンドオフセット ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  酸化マグネシウム ,  マグネシウム化合物 ,  *半導体材料 ,  バンド構造

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 混合相 ,  MgO ,  Si ,  二重ヘテロ接合 ,  二色 ,  紫外検出器