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J-GLOBAL ID：201202285272729028   整理番号：12A0602368

SiCレーザろう付けプロセス技術の開発

著者 (3件)： 須山章子 (東芝) ,  田中明 (東芝) ,  河野渉 (東芝)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2012  ページ： 194  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ろう付 ,  ろう材 ,  アルミナ ,  酸化イットリウム ,  曲げ強さ ,  半導体レーザ ,  濡れ ,  二酸化ケイ素 ,  *レーザろう付 ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： シリカ

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  レーザろう付け ,  プロセス ,  開発