高エネルギー3軸X線回折により特性描写された[015]と[001]方位で成長した6H-SiC結晶

文献

J-GLOBAL ID：201202285304306779 整理番号：12A0369549

6H-SiC crystals grown in [015] and [001] directions characterized by high energy triple-axis x-ray diffraction

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資料名：
巻： 556/557 ページ： 219-222 発行年： 2007年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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