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J-GLOBAL ID：201202285360136720   整理番号：12A1221279

ミクロ接触印刷による超高密度金ナノ粒子単分子層を用いる屈曲性フラッシュメモリ

Microcontact Printing of Ultrahigh Density Gold Nanoparticle Monolayer for Flexible Flash Memories

著者 (6件)： HAN Su-Ting (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR) ,  ZHOU Ye (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR) ,  XU Zong-Xiang (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR) ,  HUANG Long-Biao (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR) ,  YANG Xiong-Bo (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR) ,  ROY V.A.L. (City Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 26  ページ： 3556-3561  発行年： 2012年07月10日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリエチレンテレフタレート基板/ITO電極/酸化アルミニウム遮蔽層上にドデカンチオラート保護された金ナノ粒子(10nm径)の水面膜のPDMSスタンプ転写により金ナノ粒子層を形成し,酸化アルミニウム(トンネル層),ペンタセン活性層,金電極(ソースおよびドレイン)を蒸着してFETを作製した。透過型電子顕微鏡,電界放出型走査電子顕微鏡,紫外可視スペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。電流電圧特性を測定した。±50Vの電圧印加により書き込み/消去が可能であり,10⁵sまでの保持試験,500回の屈曲試験とあわせて,屈曲性メモリとしての性能を確かめた。

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  単分子層 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  *転写 ,  ポリジメチルシロキサン ,  ポリエチレンテレフタレート ,  電極 ,  酸化アルミニウム ,  金電極 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  蒸着膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  *記憶装置 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： ITO電極 ,  LB膜 ,  PDMS【重合体】 ,  メモリ ,  *金ナノ粒子 ,  電界放出型走査電子顕微鏡

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

物質索引 (2件)： 1-ドデカンチオラート ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 高密度 ,  金ナノ粒子 ,  単分子層 ,  屈曲性 ,  フラッシュメモリ