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J-GLOBAL ID：201202285528740059   整理番号：12A0922744

シリコン結晶の成長とウェハ技術

Silicon Crystal Growth and Wafer Technologies

著者 (3件)： FISHER Graham (MEMC Electronic Materials, Inc., MO, USA) ,  SEACRIST Michael R. (MEMC Electronic Materials, Inc., MO, USA) ,  STANDLEY Robert W. (MEMC Electronic Materials, Inc., MO, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 100  号： Centennial Special Issue  ページ： 1454-1474  発行年： 2012年05月13日 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新のマイクロエレクトロニクスの基盤を形成するシリコン基板に関して,シリコン結晶の成長とウェハ技術を取り上げ,その歴史的開発に関するレビューを行った。シリコン基板材料技術に関しては,ポリシリコンの生産,単結晶シリコンの成長,結晶の収穫およびグラインディング,スライシング,ラッピング,エッチング,研磨,クリーニング,エピタクシー,について述べた。高度な基板技術として,450mm基板,シリコンオンインシュレータ基板,従来型CMOSを超えての展望,複合半導体を用いた集積,について述べた。太陽光発電のためのウェハ技術に関しては,結晶シリコン太陽光発電のトレンド,多結晶ウェハ技術,連続VCzochraslki結晶成長,シリコンリボン,ウェハ類似技術,などについて論じた。最後に将来トレンドを取り上げ,GaN,ワイドバンドギャップ,高移動度半導体,シリコン上での成長,などについて論じた。

シソーラス用語： *結晶成長 ,  半導体 ,  *集積回路 ,  *半導体プロセス ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  エッチング ,  研磨 ,  エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  技術展望 ,  状態 ,  シリコンウエハ ,  動向 ,  機械工作
準シソーラス用語： シリコン ,  シリコン基板 ,  トレンド

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン結晶 ,  成長 ,  ウェハ