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J-GLOBAL ID：201202285580530763   整理番号：12A1570998

0.18μm CMOSにおけるプロセスに鈍感な温度補償を有する1.4μW,24.9ppm/°C電流基準

A 1.4-μW 24.9-ppm/°C Current Reference With Process-Insensitive Temperature Compensation in 0.18-μm CMOS

著者 (2件)： LEE Junghyup (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  CHO SeongHwan (KAIST, Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 47  号： 10  ページ： 2527-2533  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,温度変化に対して高い安定性を達成した,トリミングの無い低電圧で低電力のCMOS電流基準を提案した。提案した電流基準は,トリミング無しで温度に安定な基準電流を発生するために,オンチップポリ抵抗とプロセスに鈍感な補償電圧を用いている。その電流基準を0.18μm CMOS技術で作製したが,1V電源から1.4μW消費した。それは,トリミング無しで,0°Cから100°Cの温度変化に対して24.9ppm/°Cの温度係数を達成した。その値は,最近報告されたCMOS電流基準の中で最低のものである。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *温度補償 ,  電力消費 ,  電圧 ,  温度変動 ,  温度係数 ,  半導体チップ ,  標準 ,  *電源装置 ,  電流安定化 ,  電流発生
準シソーラス用語： 低供給電圧 ,  抵抗温度係数 ,  電流標準

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  プロセス ,  温度補償