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J-GLOBAL ID:201202285704501856   整理番号:12A1720248

Zn1-xMnxOナノ結晶粉末と薄膜の構造と磁気特性

Structural and magnetic properties of Zn1-xMnxO nanocrystalline powders and thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 525  ページ: 13-19  発行年: 2012年12月15日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Zn<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>(x=0,0.02,0.05,0.1)ナノ結晶粉末と薄いエピタキシャル膜の構造と磁気特性を詳しく調べた。エピタキシャル膜は,c-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上にパルスレーザ堆積で作成した。このために,ウエット高分子前駆体法により合成したZn<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>O(x=0,0.02,0.1)のナノサイズの粉末を加圧してアブレーション用の標的を作成した。この方法の採用により純度と粒サイズ分布の一様性を改善できた。基板温度やレーザ線量および背景ガス条件のような堆積パラメータを変化させて,結晶品質の最適化を図った。最適化条件で作成した膜は,モザイク状拡がり<0.3°,およびバルク様のc軸格子パラメータ5.198Åを示した。構造データは,元のZnOのウルツ鉱型構造におけるZn<sup>2+</sup>のMn<sup>2+</sup>陽イオンによる置換を示唆した。ZnOの格子力学におよぼすMnの影響をRaman散乱で確認した。Mnドーピングにより格子欠陥が増加し,275と526cm<sup>-1</sup>の2個のRaman振動モードが誘起されることがわかった。磁気測定では,真空下で成長した薄膜が室温で強磁性である一方,酸素雰囲気下で成長した膜では磁気特性が劇的に低下し,これは酸素空格子点欠陥が磁気交換の主因である可能性を強く示した。窒素の同時ドーピングでは,ZnO膜の構造と磁気特性には大きな影響がないことが分かった。正確なMnドーピング濃度が,現実的希薄磁性半導体の作成に重要な因子と考える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  酸化物結晶の磁性 
タイトルに関連する用語 (4件):
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