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J-GLOBAL ID：201202285732071425   整理番号：12A1253254

バリスティック電子放出に対する多孔質シリコンのモルフォロジーの効果

Effects of Porous Silicon Morphology on Ballistic Electron Emission

著者 (4件)： ZHANG Yujuan (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHANG Xiaoning (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG Wenjiang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  LIU Chunliang (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 8  ページ： 6548-6551  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる電流密度で高ドープSiウエハをアノード酸化処理することにより多孔質Si(PS)層を形成した。SEM像の観察から,孔の形状は電流密度15~45mA/cm²では不規則で,60~75mA/cm²では真っ直ぐであることが分かった。これらの試料を熱酸化し,PS層上にPt正電極,Siウエハ裏面に負電極を設けた金属/PS/Si/金属構造を作製し,真空中で電子放出特性を測定した。電子放出は不規則な孔をもつ試料では観測されるが,孔が真っ直ぐな試料では観測されなかった。電子放出を示す試料のダイオード電流と放出電流のバイアス電圧依存性を測定し,電子放出効率を比較した。電子が放出されるかどうかはPSの断面形状で推定できる。

シソーラス用語： *弾道電子 ,  *電子放出 ,  *多孔質シリコン ,  *半導体薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  *アノード酸化 ,  モルフォロジー ,  真空マイクロデバイス ,  *MSM構造
準シソーラス用語： Siウエハ ,  バリスティック電子

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： バリスティック電子 ,  放出 ,  多孔質シリコン ,  モルフォロジー