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J-GLOBAL ID：201202285777006853   整理番号：12A1215718

ドープ半導体における強電場THzパルスの非線形伝搬

Nonlinear propagation of strong-field THz pulses in doped semiconductors

著者 (3件)： TURCHINOVICH Dmitry (Technical Univ. Denmark, Lyngby, DNK) ,  HVAM Jorn M. (Technical Univ. Denmark, Lyngby, DNK) ,  HOFFMANN Matthias C. (SLAC Linear Accelerator Lab., CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8260  ページ： 82600G.1-82600G.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型半導体GaAs,GaP,Geでの,室温でTHz周波数領域における,300kV/cmに達する,光の単サイクル強電場パルスの超高速可飽和吸収を観測し,標準的な可飽和吸収体モデルを用いて,飽和フルエンスと共に線形及び非飽和透過係数を抽出した。観測された動的THz可飽和吸収はTHz電場中の非線形電子輸送に起因している。これらの半導体の伝導度とTHz吸収は強いTHz電場中でのキャリアの加速によって変調され,電子を伝導帯のエネルギー-運動量空間において低運動量,低実効質量状態から高運動量,高エネルギー状態に再分布することで電子の有効質量の増加に導く。時間及び周波数分解THzポンププローブ測定はこの非線形吸収効果のダイナミクスとスペクトル的性質の研究を可能にする。実際的応用のためにはドーピング濃度と試料厚さを可飽和効果が最大になるように選択する必要がある。

シソーラス用語： *N型半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  リン化ガリウム ,  ゲルマニウム ,  *電磁波 ,  *可飽和吸収体 ,  電磁波伝搬 ,  *非線形光学 ,  *光伝導 ,  光吸収 ,  ポンププローブ法 ,  *ドーピング ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： *THz波

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  強電場 ,  THzパルス ,  非線形伝搬