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J-GLOBAL ID：201202285871339300   整理番号：12A0621083

RFスパッタリングにより堆積させた非晶質Hf-In-Zn-O薄膜の光学バンドギャップのブルーシフト

Blue shift in the optical band gap of amorphous Hf-In-Zn-O thin films deposited by RF sputtering

著者 (11件)： THAKUR Anup (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  THAKUR Anup (U.C.o.E., Punjabi Univ., Patiala 147002, Punjab, IND) ,  KANG Se-jun (Dep. of Physics, POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  BAIK Jae Yoon (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  YOO Hanbyeol (Dep. of Physics, POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  LEE Ik-jae (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  LEE Han-koo (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  JUNG Seonghoon (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  PARK Jaehun (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  SHIN Hyun-joon (Pohang Accelerator Lab., POSTECH, Pohang 790-784, KOR) ,  SHIN Hyun-joon (Dep. of Physics, POSTECH, Pohang 790-784, KOR)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 525  ページ： 172-174  発行年： 2012年06月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Hf-In-Zn-O(a-HIZO)薄膜を,5mTorrに固定された作動圧力において,ArとO₂混合雰囲気中で高周波(RF)マグネトロンスパッタリングにより成長した。O₂/Ar流量比を5%から50%に大きくした時,3.59eVから4.06eVへのバンドギャップに13%の増大(ブルーシフト)が得られた。より高いO₂/Arガス流量比で堆積したa-HIZO膜はより高抵抗であった。酸素添加により誘起された酸素空孔の低減を提案し,バンドギャップと比抵抗の増大を説明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  蒸着膜 ,  青方偏移 ,  光学ギャップ ,  マグネトロンスパッタリング ,  薄膜成長 ,  電気抵抗率 ,  空格子点 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *亜鉛化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ハフニウム化合物 ,  *金属酸化物 ,  光透過 ,  光学的性質 ,  非晶質
準シソーラス用語： 酸素空孔 ,  *非晶質薄膜

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (8件)： RFスパッタリング ,  堆積 ,  非晶質 ,  HF ,  Zn ,  薄膜 ,  光学バンドギャップ ,  ブルーシフト