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J-GLOBAL ID：201202286084884772   整理番号：12A1650834

空気中で酸化した多孔性ゲルマニウム膜上の酸化物成長の表面特性化

Surface characterization of oxide growth on porous germanium films oxidized in air

著者 (3件)： WOLTER S.d. ,  TYLER T. ,  JOKERST N.m.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 522  ページ： 217-222  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クラス1000クリーンルーム空気中で室温酸化したナノ多孔質(PGe)膜と塩素化PGe膜の時間反復表面分析研究を報告する。蒸着したままのPGe膜のX線光電子分光法(XPS)Ge 3d内殻準位スペクトルのデコンボリューションは,空気曝露中にGe₂O,GeO,Ge₂O₃の安定した準位を示したが,対数レートに依存するGeO₂の成長を観測した。対照的に,塩素化PGeは10時間の空気曝露までは全てのGeO_x相の成長を示し,その後GeO₂のみが成長した。XPS Cl 2p内殻準位スペクトルは約10時間の空気曝露まで塩素の連続損失を示したが,その後ClGe成分は分解できなかった。酸素による塩素置換時の塩素化PGe上の各GeO_x相の対数的成長を明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *多孔性 ,  塩素化 ,  *表面性状 ,  X線光電子スペクトル ,  *酸化 ,  内殻準位 ,  表面準位 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *多孔質ゲルマニウム

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 空気中 ,  酸化 ,  多孔性 ,  ゲルマニウム ,  酸化物 ,  成長 ,  表面特性