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J-GLOBAL ID：201202286185741140   整理番号：12A1174555

サファイヤ基板上に製作したアクティブ構造上にボンディングパッドを持つ840V/6A-AlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード

840V/6 A-AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With Bonding Pad Over Active Structure Prepared on Sapphire Substrate

著者 (4件)： LEE Jae-Hoon (Samsung LED Co., Ltd., Suwon, KOR) ,  YOO Jong-Kyu (Samsung LED Co., Ltd., Suwon, KOR) ,  KANG Hee-Sung (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Jung-Hee (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1171-1173  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNヘテロ構造に基づくデバイスは,次世代の高周波数,高出力デバイス用として大きなポテンシャルを持っている。本稿では,サファイヤ基板上に成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造に基づく横型Schottky障壁ダイオード(SBD)について報告した。高出力動作を行うために,最適化したアノード-カソード間距離を持つアクティブ領域上ボンディングパッド(BPOA)構造を使った。このBPOAはボンディングパッドを能動領域上に配置するが,このための強化層は使用しない。これによりチップサイズの小型化とパッドの直列抵抗を低減した。このSBDは,順方向電流が1.5Vで6A,-600Vでの漏れ電流16μA,逆回復時間(T_rr)18ns,ブレークダウン電圧840V,オン抵抗(R_on)9mΩcm²,性能指数((V_BR²)78MW/cm²を示した。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  パッド ,  ボンディング【IC】 ,  漏れ電流 ,  時間 ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  オン抵抗 ,  性能指数
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  ブレークダウン電圧 ,  *ボンディングパッド ,  回復時間 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイヤ基板 ,  製作 ,  ボンディングパッド ,  AlGaN ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード