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J-GLOBAL ID：201202286250740016   整理番号：12A0802636

異なるニオブドーピングを有するAu/Nb:SrTiO₃ Schottky界面を横切る電気輸送

Electrical transport across Au/Nb:SrTiO₃ Schottky interface with different Nb doping

著者 (3件)： RANA K. G. (Physics of Nanodevices, Zernike Inst. for Advanced Materials, Univ. of Groningen, Groningen, NLD) ,  KHIKHLOVSKYI V. (Physics of Nanodevices, Zernike Inst. for Advanced Materials, Univ. of Groningen, Groningen, NLD) ,  BANERJEE T. (Physics of Nanodevices, Zernike Inst. for Advanced Materials, Univ. of Groningen, Groningen, NLD)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 21  ページ： 213502-213502-3  発行年： 2012年05月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NbドープSrTiO₃単結晶における電子輸送を,二つのドーピング密度に関して研究した。抵抗及び移動度は,両方において温度依存であるのに対して,キャリア濃度はほとんど温度不変であることを見出した。これを,浅ドナーに関する水素理論を用いて説明した。さらに,TiO₂終端n型SrTiO₃上で,AuのSchottky界面を横切る電気輸送をプローブした。巨視的I-V測定の定量分析は,熱イオン放出が,低ドープ基板に関する輸送を支配するが,高ドープ基板に関しては,このような挙動からはずれることを明らかにした。本研究は,酸化物半導体を用いて電子輸送を研究する素子の設計に関係している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  金 ,  *電気抵抗 ,  移動度 ,  温度依存性 ,  キャリア密度 ,  ドナー ,  *酸化チタン ,  電流電圧特性 ,  *界面
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  熱イオン放出

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ニオブ ,  ドーピング ,  Au ,  Nb ,  界面 ,  電気輸送