抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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異なるレベルの清浄度をもつ二つのスパッタリングシステムを用いて,そして0.13と0.93Paの間を変化するアルゴンスパッタリング圧で,SiO
2/Siウェーファー上にクロム薄膜を堆積した。同一のスパッタリング条件下で成長させた二つのシステムからの膜は,有意に異なる抵抗率値をもち,それらが容器中の残留酸素の違いに起因することを示した。膜の電気抵抗率に対するアルゴン圧の影響を調べるために,一連の成長させた膜について電気的輸送測定を行なった。走査型電子顕微鏡法およびX線光電子分光法を用いて膜の形態,微細構造そして組成を特性評価した。異なるスパッタリング圧でスパッターしたCr薄膜において有意な違いを見出した;抵抗率性能および微細構造の違いが注目された。この変化が多孔質構造からより高密度の微細構造への転移に起因することを示した。空気に露出されるとき,高圧でスパッターしたCr薄膜は大量の酸素を含んでいた。酸素の一部は,スパッタリングシステムの蒸着速度および基礎圧力に依存して蒸着中に添加された。残りは,膜が空気に露出されたときに膜中に取り込まれた。このステージで付加される酸素量は,膜の構造に依存し,低スパッタリング圧で蒸着した膜の場合に最少となるだろう。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.