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J-GLOBAL ID：201202286379215910   整理番号：12A0735783

a-Si:Hバルク欠陥の速度論およびa-Si:H/c-Si界面状態の還元

Kinetics of a-Si:H bulk defect and a-Si:H/c-Si interface-state reduction

著者 (3件)： DE WOLF Stefaan (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Neuchatel, CHE) ,  BALLIF Christophe (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Neuchatel, CHE) ,  KONDO Michio (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 11  ページ： 113302.1-113302.4  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *ヘテロ接合 ,  *ポリシリコン ,  表面準位 ,  還元 ,  格子欠陥 ,  速度論 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  温度依存性 ,  焼なまし
準シソーラス用語： アモルファス水素化シリコン

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  バルク ,  欠陥 ,  速度論 ,  界面状態 ,  還元