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J-GLOBAL ID:201202286487521920   整理番号:12A0265926

CaCu3Ti4O12薄膜キャパシタ:ボトム電極にSchottky型障壁が存在することを示す証拠

CaCu3Ti4O12 thin film capacitors: Evidence of the presence of a Schottky type barrier at the bottom electrode
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巻: 520  号:ページ: 2632-2638  発行年: 2012年01月31日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この研究は,CaCu3Ti4O12(CCTO)系平行板薄膜キャパシタの誘電特性にボトムとトップの電極が及ぼす寄与を識別することを目的とした。この目的のため,電極材料としてAu,Pt,及びLa0.9Si1.1NiO4を比較した。エピタキシャルと多結晶のCCTO膜をパルスレーザ蒸着した。電極の性質がこの薄膜の誘電特性を変更する上で主要な役割を果たす。CCTO/電極界面のいずれか,あるいは両方に1個か2個のSchottky障壁を示す証拠が観測された。電気特性を注意深く比較して,伝導型を仮定しないで,Schottky障壁を含む界面を識別できた。見返りとして,Schottky障壁粒子の知識によって,キャリアの性質を曖昧性なく決定することができた。結果は,過去の報告とは異なり,CCTO薄膜のn型キャリアを示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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金属-絶縁体-半導体構造 
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