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J-GLOBAL ID：201202286512064939   整理番号：12A0214785

ITO基板上にポリフラーレン膜を堆積するための電気化学的アプローチ

An Electrochemical Approach for Deposition of Polyfullerene Films on ITO Substrates

著者 (9件)： VEERENDER P. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  KOIRY S. P. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  JHA P. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  SAXENA Vibha (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  CHAUHAN A. K. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  BHATTACHARYA S. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  TEWARI R. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  ASWAL D. K. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  GUPTA S. K. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 1  ページ： D13-D18  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2溶媒を必要としない,ITO被覆ガラス基板上へのポリフラーレン膜の電気化学的堆積のための簡単で新しい方法を提案した。このプロセスは次の2ステップから成る。第一は電気化学的方法によるジクロロメタン(DCM)中のC₆₀^2-の準備,第二は線形掃引ボルタンメトリー(LSV)を用いたC₆₀^2-の酸化によるITO上のポリフラーレン膜の電着である。LSV走査数を増すことにより,膜形態を球状から長いひげ結晶まで調節できることが分かった。高いLSV走査数では,長さと直径がそれぞれ200と0.4μmのひげ結晶形状に第2ポリフラーレン層が成長した。ひげ結晶に対するエネルギーバンドギャップは約0.7eVであった。HRTEM像はC₆₀が,{2+2}環状付加機構を通じて1次元「真珠構造」に重合することを示した。

シソーラス用語： *フラーレン ,  *重合体 ,  多価イオン ,  環状付加 ,  二量体 ,  *ボルタンメトリー ,  *電着 ,  電解重合 ,  高分子膜 ,  電極 ,  *ホイスカ
準シソーラス用語： ITO電極 ,  *ポリフラーレン ,  *線形掃引ボルタンメトリー

分類 (3件)： 単独重合  (CG04020S) ,  電極過程  (CB07040U) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ITO基板 ,  フラーレン膜 ,  堆積 ,  電気化学