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J-GLOBAL ID：201202286606609580   整理番号：12A0564487

V帯域用途に供するリセスOPW構造をしたガラス基板上の低プルイン電圧RF MEMSスイッチの製作

Fabrication of low pull-in voltage RF MEMS switches on glass substrate in recessed CPW configuration for V-band application

著者 (3件)： SHARMA Jaibir (Indian Inst. Technol. Madras, Chennai, IND) ,  NAGENDRA Krishanapura (Indian Inst. Technol. Madras, Chennai, IND) ,  DASGUPTA Amitava (Indian Inst. Technol. Madras, Chennai, IND)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 2  ページ： 025001,1-9  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,リセス共平面導波路構造のRF MEMSシャントスイッチをガラス基板に製作する新方法を提案した。その特徴は,プルイン電圧低減のためにばね定数の低い膜を利用することにある。初めに,蒸着プロセスによってガラスウエハ上に生成した二酸化ケイ素の層を用いて,膜と信号線間の隙間を部分的に定めるリセスを形成する。それから,ポジ型フォトレジストS1813および金を用いて,犠牲層および膜を生成する。最後に,Pirhana溶液の助けを借りて膜の離型を行い,次に,低表面張力の液中ですすぎ洗いをして,離型中のスティクションを回避する。本方法に基づいて製作した,長さ500μmの蛇行膜および長さ700μmの帯板状膜から成るスイッチの,アイソレーション,プルイン電圧,挿入損の特性改善について述べた。

シソーラス用語： *素子構造 ,  基板 ,  *電圧 ,  *MEMS ,  *マイクロスイッチ ,  アイソレーション【IC】 ,  スイッチ ,  *集積回路
準シソーラス用語： *プルイン電圧 ,  リセス構造

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (7件)： V帯 ,  用途 ,  ガラス基板 ,  プルイン電圧 ,  RF ,  MEMSスイッチ ,  製作