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J-GLOBAL ID：201202286713135052   整理番号：12A0652106

低パワー不揮発論理回路の設計のためのハイブリッド磁気/相補型金属酸化物半導体プロセス設計キット

A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor process design kit for the design of low-power non-volatile logic circuits

著者 (4件)： DI PENDINA G. (CMP, 46 avenue Felix VIALLET, 38031 Grenoble Cedex, FRA) ,  PRENAT G. (SPINTEC, CEA, CNRS, UJF, INPG; CEA/INAC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex, FRA) ,  DIENY B. (SPINTEC, CEA, CNRS, UJF, INPG; CEA/INAC, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex, FRA) ,  TORKI K. (CMP, 46 avenue Felix VIALLET, 38031 Grenoble Cedex, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07E350-07E350-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタの登場以来,マイクロエレクトロニクス回路の性能は,速度と密度が18か月毎に二倍になるというMooreの法則にしたがってきた。今日ではこの傾向は息切れしつつあり,連続的なデバイスサイズの減少と動作周波数の増加によりパワー消費と熱問題が生じている。これらの限界を克服するために研究された解の中で,不揮発デバイスの使用は特に有望である。例えば,非活動ブロックのパワー供給を情報を失う事なく打ち切りスタンバイパワー消費を劇的に減少させるパワーゲーティング技術が容易に行える。この方法では,他の不揮発デバイスに比して磁気トンネル接合(MTJs)には,高性能かつ新機能を有するハイブリッドCMOS/磁気回路を設計できるという利点がある。このような回路の設計には通常のマイクロエレクトロニクス設計スイートにおける集積MTJsが要求される。これはハイブリッドCMOS/磁気技術のためのプロセス設計キット(PDK)を用いることで実現する。本論文では,完全な磁気PDKを提案する。これには電気的シミュレーションのためのMTJのコンパクトモデル,レイアウト及び物理的実証のための技術ファイル,標準的設計スイートと互換性のある複雑な論理回路設計のための標準的セルが含まれる。設計者は,このPDKを使うことによって,標準的CMOS回路を設計するのと同じように高性能ハイブリッドCMOS/磁気論理回路を正確かつ快適に設計できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *トンネル接合 ,  *回路設計 ,  不揮発性メモリ ,  器具 ,  支援プログラム ,  計算機シミュレーション ,  複合構造
準シソーラス用語： CMOS論理回路 ,  ハイブリッド構造 ,  *磁気トンネル接合 ,  集積回路設計 ,  設計ツール ,  非揮発性メモリ

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー ,  論理回路 ,  設計 ,  磁気 ,  金属酸化物半導体 ,  プロセス設計