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J-GLOBAL ID：201202286760683912   整理番号：12A0337484

n型Si/ZnOドープ導電性高分子光起電力素子おける光電流の安定性と応答性

Photocurrent stability and responsivity in the n-type Si/ZnO-doped conducting polymer photovoltaic device

著者 (4件)： LIN Yow-jon (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  SU Ting-hong (Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  LIN Jung-chung (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  SU Yu-chao (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 162  号： 3-4  ページ： 406-409  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で,n型Si/PEDOT:PSS素子における光起電力特性や光応答性に及ぼすポリ(4-スチレンスルホネート)がドープされたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT:PSS)へのZnOナノ粒子の導入効果を検討した。ZnOのドーピングによって強化された感度は外部光注入およびデバイス整流性能によって解釈することが可能であった。PEDOT:PSSへのZnOの導入により改良された光電流の安定性は,PEDOTにナノ粒子:PSSフィルムはZnOドープPEDOT:PSS高分子膜の減少した電荷トラップ密度によって説明可能であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *N型半導体 ,  *導電性高分子 ,  *光起電力効果 ,  *太陽電池 ,  *酸化亜鉛 ,  *ケイ素 ,  *ドーパント ,  ドーピング ,  *光電流 ,  光応答性高分子 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  高分子膜 ,  キャリア捕獲 ,  整流 ,  高分子半導体
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  *ZnO ,  *シリコン ,  整流作用 ,  *太陽光発電システム

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電池一般  (YB04010O) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の結晶成長  (BK13070E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ZnO ,  ドープ ,  導電性高分子 ,  光起電力素子 ,  光電流 ,  安定性 ,  応答性