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J-GLOBAL ID:201202287128800330   整理番号:12A0386982

PbS及びPbSeナノ結晶におけるキャリア増殖収率の比較: 競合エネルギー損失過程の役目

Comparison of Carrier Multiplication Yields in PbS and PbSe Nanocrystals: The Role of Competing Energy-Loss Processes
著者 (11件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 622-628  発行年: 2012年02月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体ナノ結晶は,増強されたキャリア増殖(CM)又は多重励起子生成(MEG)により有効な太陽エネルギー変換材料として有望であり,その過程においては,一電子-正孔対より多い単一高エネルギーフォトンが生成される。ここでは,PbSナノ結晶のキャリア増殖収率と双励起子寿命を測定し,十分研究されているPbSeナノ結晶と比較した。PbSとPbSe半導体は,バルク形状に多くの類似性があるためにこの種の比較に対してはほとんど理想的である。PbSのCM収率はPbSeにおける観察値よりも著しく低く,競合過程の速度がPbSにおいては高いことを提案した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造  ,  太陽電池  ,  塩 

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