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J-GLOBAL ID：201202287151431946   整理番号：12A1022594

0.15μm GaAs疑似格子整合型高電子移動度トランジスタ技術を用いた低位相雑音V帯プッシュ-プッシュ電圧制御発振器

Low phase noise V-band push-push voltage controlled oscillator using 0.15μm GaAs pseudomorphic high electron-mobility transistor technology

著者 (3件)： KAO H.-L. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  SHIH S. P. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  YEH C. S. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN)
資料名： IET Microwaves, Antennas & Propagation  (IET Microwaves, Antennas & Propagation)
巻： 6  号： 6  ページ： 653-657  発行年： 2012年04月24日 
JST資料番号： C0988C  ISSN： 1751-8725  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重クロスカップルペア構成,静電容量分割技術およびプッシュ-プッシュトポロジーを用いたV帯電圧制御発振器(VCO)を提示した。提示したVCOは小型で位相雑音および低消費電力に関して良好な性能を達成した。VCOは0.15μm GaAs疑似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)技術によって完全集積化し,チップサイズは1.04mm²である。VCOは61.11~62.66GHzの調整範囲を持ち,消費電力は24mWで,位相雑音は62GHzキャリアから1MHzのオフセットで-108.43dBc/Hzであった。

シソーラス用語： *VCO【発振器】 ,  周波数帯 ,  *位相雑音 ,  *消費電力 ,  騒音抑制 ,  *HEMT ,  格子整合 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： V帯 ,  *低雑音化 ,  *低消費電力化

分類 (1件)： 発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  格子整合 ,  高電子移動度トランジスタ ,  低位相雑音 ,  V帯 ,  プッシュ ,  電圧制御発振器